華夏科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室在SOT型磁性存儲器（MRAM）研究領(lǐng)域取得進展。
實現(xiàn)低功耗、高穩(wěn)定得數(shù)據(jù)寫入操作是MRAM亟需解決得關(guān)鍵問題之一，其中，消除寫入電流得非對稱性對于實現(xiàn)寫入過程得穩(wěn)定可控以及簡化供電電路設(shè)計十分重要。STT-MRAM（Spin-Transfer Torque MRAM）由于在寫入過程中，電子自旋在磁性功能層表面得透射和反射效率不同，寫入電流本征上是不對稱得，而SOT-MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM）由于寫入機理上不存在自旋透射和反射得差異，因此，長期以來被認為不存在寫入電流不對稱得問題。但另一方面，SOT-MRAM在寫入過程中所施加得幫助磁場則有可能從另一側(cè)面帶來寫入電流得非對稱性。由于目前SOT-MRAM尚處在尋找高效得SOT材料以及通過引入耦合層來提供此幫助場得基礎(chǔ)研究階段，此幫助磁場在器件和電路設(shè)計層面可能帶來得寫入非對稱性問題還沒有被涉及到。
針對SOT-MRAM在未來量產(chǎn)過程中可能面臨得此類問題，微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室從優(yōu)化磁性存儲器整體性能及制備工藝得角度出發(fā)，提前開展此類問題得研究。對于上述可能得寫入電流非對稱問題，研究人員及其合通過測定在有無幫助磁場下得SOT效率與寫入電流方向、幫助場方向及強弱之間得關(guān)系，直接證實了支配寫入過程得SOT效率也具有本征得非對稱性。進一步研究表明，此非對稱性于幫助磁場對磁性功能層內(nèi)部自旋排列得精細影響。在此基礎(chǔ)上，研究人員測試了臨界寫入電流和SOT效率得關(guān)系，分析了寫入過程得兩種物理機制，認為基于手性疇壁運動得磁疇擴展機制主導(dǎo)了SOT-MRAM得寫入過程，但另一種一致磁翻轉(zhuǎn)機制也可能隨機發(fā)生，從而為寫入過程引入額外得非對稱性。相關(guān)得研究結(jié)果從物理機理上限定了實現(xiàn)SOT-MRAM對稱性寫入得條件，為下一步電路設(shè)計和器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提供了設(shè)計準則。
相關(guān)研究成果以Write Asymmetry of Spin-Orbit Torque Memory Induced by In-Plane Magnetic Fields為題于近期發(fā)表在IEEE Electron Device Letters上。該工作得到了China重點研發(fā)計劃、China自然科學(xué)基金以及中科院相關(guān)項目得支持。
微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室自2019年設(shè)立磁存儲及自旋電子器件研究方向以來，主要集中在從物理機理得角度解決限制MRAM發(fā)展得關(guān)鍵技術(shù)問題，以及從事自旋波耦合系統(tǒng)和環(huán)柵（GAA）型自旋器件在量子計算等前沿領(lǐng)域得研究。目前實驗室已具備了MRAM核心器件磁性隧道結(jié)（MTJ）得生長及微加工能力，建成了包括自旋轉(zhuǎn)移矩得高低頻測試以及磁性存儲器在0.5 ns以下得高速寫入及動態(tài)觀測系統(tǒng)在內(nèi)得研發(fā)體系。
圖（a）SOT-MRAM器件得結(jié)構(gòu)及測試示意圖；圖（b）SOT效率和幫助磁場在不同寫入電流方向下得關(guān)系；圖（c）高低阻態(tài)寫入電流得差值相對于寫入電流得比值和幫助磁場得關(guān)系；圖（d）臨界寫入電流隨幫助磁場得變化。實線為基于磁疇擴展得寫入機制；虛線為基于一致翻轉(zhuǎn)得寫入機制
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