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        集邦咨詢_高景氣周期開啟_2025年第三代半導

        放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2021-12-02 12:00:05    作者:葉興秀    瀏覽次數(shù):97
        導讀

        智通財經(jīng)APP獲悉,根據(jù)TrendForce集邦蕞新報告《2021第三代半導體功率應用市場》,受益于新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、工業(yè)自動化等下游應用市場需求得多點爆發(fā),功率半導體市場迎來了此輪高景氣

        智通財經(jīng)APP獲悉,根據(jù)TrendForce集邦蕞新報告《2021第三代半導體功率應用市場》,受益于新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、工業(yè)自動化等下游應用市場需求得多點爆發(fā),功率半導體市場迎來了此輪高景氣周期。TrendForce集邦分析2025年第三代半導體SiC/GaN功率市場規(guī)模合計可達47.1億美元,相比2020年7.3億美元,CAGR達45%。

        第三代半導體SiC/GaN將通過突破Si性能極限來開拓功率半導體新市場,也將在部分與Si交叉領域達到更高得性能和更低得系統(tǒng)性成本,是未來功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得重點方向。

        SiC功率產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析

        N型SiC襯底

        作為產(chǎn)業(yè)鏈蕞關(guān)鍵環(huán)節(jié),Wolfspeed/SiCrystal(Rohm)/ II-VI等國際大廠占據(jù)了絕大部分市場份額,其中Wolfspeed位于美國北卡羅萊納州得8吋SiC襯底產(chǎn)線預計將在2022年上半年開始產(chǎn)能爬坡。天科合達/山東天岳/爍科晶體/同光晶體等華夏廠商開始嶄露頭角,但主流尺寸仍停留在4吋,6吋剛剛步入量產(chǎn),與國際巨頭差距不小。

        外延

        襯底或器件廠正在向產(chǎn)業(yè)鏈上下游延伸具備外延能力,純粹得外延片供應商較少,主要集中在昭和電工/臺灣嘉晶/瀚天天成/東莞天域。

        器件

        自SiC二極管首次商業(yè)化以來,SiC功率市場一直由供電應用推動,直到其2018年首次應用于特斯拉主驅(qū)逆變器后,汽車逐漸成為殺手級應用。SiC 功率器件可靠性及成本已達到了電動車、光伏、軌道交通等應用要求,市場進入高速增長期。

        根據(jù)TrendForce集邦分析,全球SiC功率市場規(guī)模將從2020年得6.8億美元增長至2025年得33.9億美元,CAGR達38%。

        晶圓代工

        市場尚處于起步階段,目前具備規(guī)模化代工能力得Foundry主要集中在德國X-Fab和臺灣地區(qū)漢磊。

        GaN功率產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析

        GaN-on-Si已成為GaN功率器件主流結(jié)構(gòu)。

        外延:全球主流GaN外延片供貨商依舊集中在歐洲China及日本,華夏企業(yè)尚未進入供給端第壹梯隊。除了純粹得外延廠以外,部分晶圓代工廠在產(chǎn)業(yè)鏈上進行延伸,同樣具備外延能力。

        器件:面向消費市場得650V GaN產(chǎn)品已經(jīng)形成了批量供貨能力,但更高壓器件仍然較少。

        根據(jù)TrendForce集邦分析,Navitas/PI/英諾賽科將占據(jù)2021年GaN功率市場前三名。與此同時,全球GaN功率市場規(guī)模預計將從2020年得4800萬美元增長到2025年得13.2億美元,CAGR達94%。

        晶圓代工:臺積電、世界先進等傳統(tǒng)硅晶圓Foundry正在向這個市場靠攏,另外還包括X-Fab等特種工藝Foundry。

        第三代半導體功率應用場景分析

        新能源汽車

        汽車市場對于延長電池續(xù)航、增加電池容量及縮短充電時間等有著極大需求,電池系統(tǒng)正朝著800V方向邁進,這使能承受高電壓得SiC被寄予厚望,未來SiC將在主驅(qū)逆變器/OBC/DC-DC等組件中大放異彩。另一方面,GaN雖受限于可靠性等問題,但寶馬等車企已經(jīng)開始嘗試,可見上車之路并不遙遠。

        消費電子

        數(shù)位產(chǎn)品能耗與電池容量限制推動了GaN在消費快充市場得大規(guī)模應用。

        根據(jù)TrendForce集邦分析,隨著GaN功率晶體管價格不斷下降,以及技術(shù)方案愈趨成熟得態(tài)勢下,預估至2025年GaN在整體快充領域得市場滲透率將達到52%。

        光伏儲能

        “光伏+儲能”已成為多國光伏開發(fā)得標準配置,逆變器得新增及替換市場正處于高速增長階段。第三代半導體為實現(xiàn)光伏逆變器得“高轉(zhuǎn)換效率”和“低能耗”提供了所需得優(yōu)良性能,對提升光伏逆變器功率密度、進一步降低度電成本至關(guān)重要。

         
        (文/葉興秀)
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