2021年9月25—26日，華夏電工技術(shù)學會成立40周年紀念大會暨第十六屆華夏電工技術(shù)學會學術(shù)年會在北京會議中心盛大舉行。華中科技大學梁琳研究員應(yīng)邀在年會“電力電子技術(shù)及電能變換”專題會議上，就“高壓大容量特種功率半導體器件研究進展”作特邀報告。現(xiàn)將梁琳研究員得報告分享給各位讀者，以期促進本領(lǐng)域得學術(shù)交流和技術(shù)進步。本號將陸續(xù)推送大會得部分可能報告，請讀者持續(xù)。
可能簡介梁琳，華中科技大學電氣與電子工程學院研究員，博士生導師，電力安全與高效利用教育部工程研究中心副主任。IEEE高級會員，中達青年學者獎獲得者，2021華夏電源領(lǐng)域“蕞美科技工”入選者，國際一流期刊IEEE JESTPE副感謝。曾赴美國北卡州立大學FREEDM Systems Center任訪問教授。
研究領(lǐng)域為功率半導體器件、封裝、可靠性及其應(yīng)用。發(fā)表SCI/EI/CSCD收錄論文70余篇；合作出版專著2部；獲授權(quán)China發(fā)明專利17項，其中轉(zhuǎn)讓3項；主持China自然科學基金面上項目2項、國防基礎(chǔ)科研計劃項目1項，是1項China重點研發(fā)計劃項目課題執(zhí)行負責人，主持與企業(yè)、科研院所合作項目20余項。
報告摘選脈沖功率技術(shù)廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。在軍用領(lǐng)域，主要有核爆模擬、電熱軌道武器、電磁炮、衛(wèi)星推進等應(yīng)用；在民用領(lǐng)域，主要有廢氣廢水處理、材料改性、火電廠脫硫脫硝、微生物殺菌等應(yīng)用。理想得脈沖功率開關(guān)希望兼顧高斷態(tài)重復峰值電壓、高峰值電流、高di/dt耐量。RSD、DSRD、F等特種器件系列，覆蓋了不同功率范圍、時間尺度得脈沖功率應(yīng)用，前景廣闊。碳化硅脈沖高壓雙極型器件與硅基器件相比優(yōu)勢明確，實際應(yīng)用中減少材料缺陷、提升少子壽命仍是重大挑戰(zhàn)。壓接IGBT、SiC IGBT等電力電子器件在各自優(yōu)勢參數(shù)范圍也可在脈沖功率領(lǐng)域應(yīng)用，要發(fā)揮出允許性能需定制化設(shè)計。
