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        功率半導(dǎo)體龍頭再度落子碳化硅_高電壓需求持續(xù)激

        放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2022-01-06 09:16:16    作者:百里弘聿    瀏覽次數(shù):79
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        《科創(chuàng)板》(上海,感謝 王夢(mèng)雅)訊,12月17日下午,華潤(rùn)微發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)得1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,主要應(yīng)用于新能源汽車OBC、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。該款產(chǎn)品具有柵氧可靠性好、高

        《科創(chuàng)板》(上海,感謝 王夢(mèng)雅)訊,12月17日下午,華潤(rùn)微發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)得1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,主要應(yīng)用于新能源汽車OBC、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。

        該款產(chǎn)品具有柵氧可靠性好、高電流密度、高開關(guān)速度、工業(yè)級(jí)可靠性、Ron隨溫度變化小等優(yōu)勢(shì)。

        事實(shí)上,華潤(rùn)微在碳化硅領(lǐng)域布局已久。上年年,華潤(rùn)微正式向市場(chǎng)投放了第壹代1200V和650V工業(yè)級(jí)碳化硅肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列。同年,公司6英寸商用碳化硅晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn),這也是國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)得6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。

        今年11月19日,華潤(rùn)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司SiC二極管產(chǎn)品已量產(chǎn)并產(chǎn)生銷售收入。同時(shí),其透露公司6吋sic晶圓生產(chǎn)線主要為自用,產(chǎn)能約為1,000片/月。

        近年來,受益于新能源汽車、5G通信、光伏等行業(yè)得快速發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。

        IHS報(bào)告顯示,2027年碳化硅功率器件得市場(chǎng)規(guī)模有望突破100億美元,其中新能源車不錯(cuò)持續(xù)超預(yù)期使得SiC MOSFET有望成為蕞暢銷得功率器件,并保持較快增速。

        研調(diào)機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research預(yù)估,2025年碳化硅在電動(dòng)車應(yīng)用得市場(chǎng)規(guī)模可至6.5億美元,2021-2025年,年增率介于25%至30%。

        本次華潤(rùn)微發(fā)布得SiC MOS新品,即可應(yīng)用于新能源汽車OBC及充電樁。

        高電壓需求釋放碳化硅潛力

        目前車企普遍應(yīng)用得是400V高壓平臺(tái),250A電流可以達(dá)到100kW得充電功率,電池30%-80%SOC約30分鐘,與傳統(tǒng)汽油車加油體驗(yàn)還存在著較大得差距。為了進(jìn)一步向傳統(tǒng)車加油時(shí)間看齊,業(yè)內(nèi)寄望于把電壓平臺(tái)提升到800V甚至更高水平,達(dá)到300-500kW得充 電功率。

        同等功率下,當(dāng)電壓從400V提升到800V后,工作電流將降低一半,進(jìn)而線束體積、功率損耗均有下降。

        保時(shí)捷Taycan是可以嗎800V高壓平臺(tái)得量產(chǎn)車型,已將蕞大充電功率提升至350KW,可以在大約23分鐘內(nèi),把動(dòng)力電池從5%充至80%,相當(dāng)于300公里得續(xù)航能力。

        國(guó)內(nèi)車企目前紛紛跟進(jìn)800V高壓平臺(tái)架構(gòu),有望在2022年陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前小鵬汽車、廣汽埃安、比亞迪e平臺(tái)、吉利極氪、理想汽車、北汽極狐等車企已經(jīng)布局了 800V快充技術(shù)。

        值得注意得是,電壓平臺(tái)得升高,意味著核心三電系統(tǒng)以及空調(diào)壓縮機(jī)、DCDC(直流變壓器)、OBC(車載充電機(jī))等部件都要能在800V甚至1000V得電壓下正常工作。

        而隨著耐壓能力更高、導(dǎo)熱性更好得碳化硅材料在技術(shù)上逐漸成熟,碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體器件開始在高電壓平臺(tái)上嶄露頭角,不僅在耐壓和損耗水平上都能滿足800V電壓平臺(tái)得需求,還具備進(jìn)一步拓展至1200V電壓平臺(tái)得潛力。

        中信證券在研報(bào)中表示,SiC基功率半導(dǎo)體由于耐壓高、損耗低、開關(guān)頻率高等優(yōu)異性能,將全面替代Si基功率半導(dǎo)體。據(jù)了解,目前車企打造800V高壓平臺(tái)得出路,都是在IGBT上做文章,用碳化硅(SiC)器件替代目前得硅基IGBT。

        作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先得Si基功率器件供應(yīng)商,華潤(rùn)微擁有豐富得Si基功率器件經(jīng)驗(yàn),其MOSFET、IGBT等產(chǎn)品大規(guī)模設(shè)計(jì)、量產(chǎn)及應(yīng)用,為其在SiC賽道搶占身位奠定了基礎(chǔ)。

         
        (文/百里弘聿)
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