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投資界5月26日消息，珠海鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）宣布完成近億元A+輪融資，由順為資本、高瓴創(chuàng)投、盈富泰克聯(lián)合投資，深啟投資擔(dān)任唯一財(cái)務(wù)顧問。至今，這家專注于高端第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件研發(fā)和生產(chǎn)得綜合解決方案提供商，成立一年半已累計(jì)融資過2億。本輪融資將主要用于氮化鎵功率芯片新產(chǎn)品研發(fā)及應(yīng)用方案開發(fā)，此外還將用于供應(yīng)鏈建設(shè)。

鎵未來成立于上年年10月，致力于高端氮化鎵功率器件得研發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，為客戶提供更高效率、更小體積、更低成本得硅基氮化鎵器件產(chǎn)品和整體解決方案。其產(chǎn)品除了應(yīng)用于手機(jī)/筆記本PD快充以外，也實(shí)現(xiàn)了中大功率應(yīng)用場景。目前，鎵未來多款650V氮化鎵產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)銷售，其中包括 3款低功率氮化鎵產(chǎn)品和2款高功率氮化鎵產(chǎn)品。

公司共有近70名員工，吸引了Intel、TI、士蘭微、TPH等業(yè)內(nèi)頭部半導(dǎo)體公司得人才，完成組建了一個(gè)具備芯片研發(fā)、封裝測試、生產(chǎn)導(dǎo)入、可靠性驗(yàn)證、質(zhì)量控制和應(yīng)用系統(tǒng)方案等各環(huán)節(jié)得完整團(tuán)隊(duì)。

GaN是第三代半導(dǎo)體材料得核心材料之一，具有功率密度更高、體積更小、更低功耗得特點(diǎn)。由于氮化鎵材料臨界擊穿電場高，電子遷移率高，氮化鎵功率器件在同一個(gè)關(guān)態(tài)阻斷電壓等級(jí)具有更高工作頻率和更低導(dǎo)通電阻等特性，電轉(zhuǎn)換損耗更低。不但提高效率節(jié)約電能，而且可使電源體積更小，實(shí)現(xiàn)更高得功率密度。

自2018年氮化鎵在手機(jī)PD快充得到快速普及后，低功率（以65W為代表）應(yīng)用場景需求不斷釋放，第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件賽道進(jìn)入快速成長期。目前，每年超10億臺(tái)智能手機(jī)疊加超2億臺(tái)筆記本等消費(fèi)電子產(chǎn)品得出貨量，吸引了PI、Navitas、英諾賽科等主要玩家都加入低功率氮化鎵功率器件市場得爭奪戰(zhàn)中。

鎵未來選擇采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)型設(shè)計(jì)方案，在常開型GaN器件得源端串接一個(gè)常關(guān)型得低壓MOSFET，實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件。通過器件集成得優(yōu)化設(shè)計(jì)與先進(jìn)封裝，克服了傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)得缺點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)高速而穩(wěn)定得特性。

采用GaN天然得常開特性可以避免制作常關(guān)型GaN器件工藝引入得缺陷，加上先進(jìn)得設(shè)計(jì)和成熟制作技術(shù)，鎵未來得產(chǎn)品動(dòng)態(tài)特性優(yōu)秀，可靠性高。由于其柵極是常規(guī)得Si-MOSFET，柵極抗噪聲、抗沖擊能力強(qiáng)，不單兼容Si基功率開關(guān)電路得柵極驅(qū)動(dòng)。而且可以封裝成插件形式，適合大功率應(yīng)用場景，應(yīng)用功率范圍可覆蓋30W-6000W。

感謝源自資本邦