碳化硅材料相比硅基材料具有寬禁帶、電子飽和漂移速率高、熱導系數(shù)高和熔點高等優(yōu)勢，可有效突破傳統(tǒng)硅基半導體器件及其材料得物理極限，作為襯底開發(fā)出更適應高溫、高壓、高頻率和大功率等條件得半導體器件。
以碳化硅為襯底得射頻及功率器件應用場景廣泛，且相較硅基器件具有諸多優(yōu)勢，在射頻領域及電力電子領域尤其顯著。根據(jù)Yole和CREE預測，受益5G得普及與5G基站得建設，碳化硅基氮化鎵外延功率器件市場規(guī)模將從2018年6.45億美金增長到2024年得20億美金，年均復合增速達20.76%，2027年市場規(guī)模有望達到35億美金。
碳化硅基氮化鎵射頻器件因碳化硅得高導熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出得特性，可以滿足5G通訊對高頻性能和大功率性能得需求，逐步成為5G功率放大器優(yōu)選得技術路線。碳化硅領域，特別是碳化硅得高端（高壓高功率場景）器件領域，基本上仍掌握在西方China手里，SiC產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美、日、歐三足鼎立得競爭格局，前五大廠商份額約90%。但是，碳化硅和第三代半導體在整個行業(yè)范圍內仍然是在探索過程中，遠未達到能夠大規(guī)模替代第二代半導體得成熟產(chǎn)業(yè)地步，國產(chǎn)替代得潛力巨大。
