原標題：產量將快速增加！西部數據開始試產112層3D NAND，下半年量產1.33Tb容量 來源：閃存市場
西部數據宣布已經與合作伙伴鎧俠成功研發出第五代3D NAND技術BiCS5，采用112層堆疊，鞏固其在業內的領先地位。BiCS5架構主要基于TLC和QLC技術，使產品在成本更優化的前提下，擁有更出色的容量，性能和可靠性。
BiCS5單顆Die容量可達1.33Tb，將在2020年下半年大規模生產
西部數據稱，目前已經開始初步生產容量為512Gb的BiCS5 TLC產品，且基于該新技術的消費類產品已經開始發售。預計到2020年下半年，BiCS5技術產品將大規模生產，屆時將會推出一系列基于TLC、QLC技術的不同容量產品，其中單顆Die容量可達1.33Tb。
西部數據存儲技術和制造高級副總裁Steve Paak博士表示，“我們已經進入到下一個十年發展，一種新的3D NAND縮放方法對于繼續滿足不斷增長的數據量和數據速率的需求至關重要。BiCS5技術的成功量產體現了我們在閃存技術上的領先地位和我們對roadmap的強大執行力。通過不斷投入技術研發，在橫向增加存儲密度的同時也增加存儲層數，產品的可靠性和成本不斷優化的同時，3D NAND容量和性能也大大提高。”
圖片來源：西部數據
西部數據表示，BiCS5技術將在位于日本四日市和巖手縣北上市的與鎧俠的合資Fab工廠生產。BiCS5技術將全面用于以數據為中心的個人電子產品，智能手機，IoT設備和數據中心等西部數據全套存儲產品系列。
存儲技術迭代不休止，滿足不斷增長的存儲需求
在競爭激烈的存儲市場中，技術進步是推動企業發展的根本動力。BiCS5是西部數據目前密度最高的3D NAND技術，顯著提高了存儲晶圓的單元陣列密度，這些“橫向”密度擴展與112層垂直存儲堆疊相結合，使BiCS5與西部數據的96層BiCS4技術相比，每個晶圓的存儲容量提高了40％以上，I/O性能提升了50%，同時成本也得到了優化。
三星于2019年8月宣布推出100+層單棧的第六代V-NAND。第六代V-NAND利用獨特的“通道孔蝕刻”技術，在之前的9x層堆疊結構上增加了大約40%，然后從上到下垂直穿透圓柱形孔，創建統一的三維電荷捕捉型存儲單元來實現的。
三星V-NAND批量生產時間表
無論是三星的V-NAND技術還是西部數據與鎧俠的BICS技術均是基于電荷捕捉型存儲技術，此外，SK海力士也是電荷捕捉型存儲技術的踐行者，其最新發布的128層4D閃存也將于2020年實現在5G手機、PC、企業級市場的商用。
除電荷捕捉型存儲技術之外，存儲市場量產的主流存儲技術還有浮動柵極存儲結構，代表廠商為美光和英特爾，它與常規MOSFE最主要的區別在于柵極和溝道之間具有額外的電絕緣浮柵。該結構非易失性存儲原理為在去除電壓后，到達電隔離的浮柵層將被捕獲。
圖片來源：中國閃存市場
然而，2018年7月，美光和英特爾由于在3D NAND上技術路線的不同，宣布分手，其原因就在于美光決定放棄浮動柵極結構轉向電荷捕捉型結構。
隨著長江存儲64層3D NAND實現量產，進展順利，成為目前國內唯一量產成功并導入客戶群的存儲原廠。Xtacking技術也獲得合作伙伴的一致好評。Xtacking是業界推出的全新閃存架構，將邏輯控制單元和存儲單元分別進行研發和制造，最后到晶圓生產的時候疊加到一起。
隨著3D技術堆疊層數的增加，以及QLC開始慢慢商用，3D NAND單顆Die容量正在向1Tb普及化量產，可以預見每GB成本的快速下降，對閃存產品的普及，尤其在數據中心、企業級市場的擴展將有重大意義。
