原標(biāo)題：西部數(shù)據(jù)試產(chǎn)112層3D NAND：產(chǎn)能提升迅速 來源：中關(guān)村在線
根據(jù)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)宣布已經(jīng)與合作伙伴鎧俠成功研發(fā)出第五代3D NAND技術(shù)BiCS5，采用112層堆疊，鞏固其在業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。
根據(jù)最新消息顯示，BiCS5架構(gòu)主要基于TLC和QLC技術(shù)，使產(chǎn)品在成本更優(yōu)化的前提下，擁有更出色的容量，性能和可靠性。BiCS5單顆Die容量可達(dá)1.33Tb，將在2020年下半年大規(guī)模生產(chǎn)。
西部數(shù)據(jù)稱，目前已經(jīng)開始初步生產(chǎn)容量為512Gb的BiCS5 TLC產(chǎn)品，且基于該新技術(shù)的消費(fèi)類產(chǎn)品已經(jīng)開始發(fā)售。預(yù)計(jì)到2020年下半年，BiCS5技術(shù)產(chǎn)品將大規(guī)模生產(chǎn)，屆時(shí)將會(huì)推出一系列基于TLC、QLC技術(shù)的不同容量產(chǎn)品，其中單顆Die容量可達(dá)1.33Tb。
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