MOS/BJT靜態(tài)參數(shù)測試儀器認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；MOS/BJT靜態(tài)參數(shù)測試，一般需要多臺儀表整合為成套測試系統(tǒng)，單獨的一臺源表，或者采集卡，并不能滿足測試需要。不同的測試，需要不同的儀器儀表進行整合。如下為普賽斯產(chǎn)品，在不同測試中的使用情況,隨著普賽斯產(chǎn)品的不斷完善，后續(xù)會滿足IGBT更多項目的測試。

一、E300高電壓源測單元

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在*象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

二、HCPL100型高電流脈沖電源

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。

設備可應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓”掃描測試。

三、P系列脈沖數(shù)字源表

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導體、納米器件和材料、有機半導體、印刷電子技術以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

總之，MOS/BJT靜態(tài)參數(shù)測試需要的儀器是一系列的，具體可以找生產(chǎn)廠家普賽斯儀表為您提供檢測方案哦！